秦智，武汉理工大学材料科学与工程专业博士，研究方向为磁性材料的力磁特性研究，发表SCI一区论文3篇，相关专利1项，求学期间参与“牛津展望计划”赴英国牛津大学交流学习。现为东方微电科技（武汉）有限公司巨磁阻抗传感器项目部研发经理，主要负责巨磁阻抗传感器的总体设计及理论仿真计算，参与多项国家及省部重点项目。

  巨磁阻抗效应是指材料的交流阻抗在外加直流磁场的作用下发生显著变化的现象，利用该效应研制的巨磁阻抗磁传感器具有灵敏度高、探测信号频率低、体积小和功耗低等特点，逐渐被应用于长波通讯、无损探测、力学测试、人体磁场探测等领域。本次演讲将主要分析巨磁阻抗传感器的研究现状，并介绍了巨磁阻抗传感器的工作原理和特性，同时介绍东方微电部分理论研究工作：非晶丝作为巨磁阻抗传感器的敏感元件，在巨磁阻抗传感器的研发中起着重要作用，因此需要对非晶丝材料的巨磁阻抗效应进行研究，东方微电基于Jiles-Atherton模型和中频段的电流趋肤效应解析了非晶丝的磁滞回线与巨磁阻抗效应的关系，通过数值计算非晶丝在中频段下的巨磁阻抗效应，并与实验实测趋势吻合。基于此可以对非晶丝中频段的巨磁阻抗效应进行数值仿真，对非晶丝的选择和巨磁阻抗传感器的研制和工程实践具有一定指导意义。