【48812】霍尔传感器图形符号【详解】

  无论是线性型霍尔传感器仍是开关型霍尔传感器，它们的外形大都与一般的晶体三极管或8脚DIP封装的集成电路十分相似，前者也选用3个引出脚方法。

  霍尔传感器元件输出的电动势很小，而且简单受温度的影响。伴随着半导体工艺的继续不断的开展，现在现已将霍尔元件、放大器、温度补偿电路以及稳压电源等制造在一个芯片上，一般称这种芯片为集成霍尔传感器，能够简称为霍尔传感器或霍尔集成电路。霍尔传感器一般分为线性型与开关型两大类。

  ●线性型霍尔传感器的输出电压与外加磁场呈线．Hale Waihona Puke Baidu尔传感器的结构

  前期的霍尔传感器元件由单晶薄片在两头焊上两根操控电流引线，另两头焊上两根输出引线，如下图（a）所示。

  现在出产的霍尔传感器元件是选用外延及离子注入工艺、或者是选用溅射工艺制造出的产品，其尺度小，功能优秀，也使出产所带来的本钱大幅度的下降。图4-12（b）是由锑化铟为资料制造成的霍尔传感器元件结构。它是由衬底、十字形溅射薄膜、引线（电极）及磁性体顶部（用来进步输出灵敏度）等部分构成的，选用陶瓷或塑料封装方法。

  霍尔传感器是一种磁传感器。用它能够检测磁场及其改变，可在各种与磁场有关的场合中运用。霍尔传感器以霍尔效应为其作业根底，是由霍尔元件和它的隶属电路组成的集成传感器。霍尔传感器在工业出产、交通运输和日常日子中很有广泛的使用。

  霍尔传感器主要由霍尔元件构成。霍尔元件选用的资料有N型锗（Ge）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、砷化镓（GaAs）及磷砷化铟（InAsP）等。许多资料制成的霍尔元件特性各异，InSb元件的输出信号较大，但受温度的影响也较大（但近期出产的新式霍尔元件，在-20℃～80℃时，其温度系数低于0.002／C）；需求砷化铟元件及锗元件的输出不如锑化铟大，特别是温度系数小，线性也好；需求选用砷化镓的元件温度特性好，但价格较贵。